根据晶丰明源MCU和AFE的便携式储能48V BMS使用计划

  BM81710H 的 48V 高边 BMS 计划。NMOS 选用芯迈(Silicon Magic)的 SDN10N3P5B-AA。PMOS 选用华润微（Crmicro）的 CRTM900P10LQ。计划还装备一个纳芯微的气体压力传感器 NSPGS2。此计划具有电芯电压收集、电流收集、温度收集、被迫均衡、充放电操控、高边开关、充放电同口等功用特色，支撑：过压/欠压维护、高/低温维护、断路维护、过流维护等维护机制。

  BPS 的 LKS32MC453MCU， 192MHz 32位CortexM4F 内核，有着非常丰厚的DSP指令，硬件浮点运算单元。内置高达256KB的Flash存储器，支撑加密维护，最大40KB的SRAM。集成了高性能模仿器材、多种I/O端口和丰厚的外设。内置12MHz高精度RC时钟和低速32kHz 低速时钟，可外挂12~24MHz外部晶振，内部PLL可供给最高 192MHz 主频。

  BM81710H 是一款高集成高精度锂电池监控及全方位的安全维护芯片，且具有高边NMOS 充放电管驱动操控，适用于10-17 串三元锂或磷酸铁锂等多种电池包使用。首要有以下功用特色：

  预充放电开关操控部分，计划的开关管 P-MOSFET 选用华润微的 CRTM900P10LQ 来做预充电、预放电操控开关。该 MOS 管的漏源电压（VDS）能到达 -100V，其接连漏电流（ID）可达 -17A@25℃，-12A@100℃。当 VGS= 10V 时，RDS(on)的典型值为 74mΩ 。体二极管正向压降为 0.9V 左右。

  LDO 部分，计划选用杰华特的 JW7806 来对 DC-DC 的输出电压进行再一步的降压处理使 LDO 输出 3.3V 。JW7806 的特色如下：

  压力检测部分，计划选用纳芯微的 NSPGS2 ,NSPGS2系列规划用于操作压力规模为-100kPa至350kPa，其特色如下：

  驱动层：是 MCU 的底层驱动，直接与硬件交互，操控和办理 MCU 的硬件资源。首要担任初始化、装备和办理硬件资源。PES-BMS 计划涉及到的外设包含：GPIO、SPI、UART、TIMER、ADC、FLASH、IWDG、AON 等。

  中间层：在 MCU 软件架构中扮演着重要的人物，它为上层使用供给必要的服务和功用接口，处理使用程序与硬件之间的通讯‌。一起阻隔体系软件与底层硬件的直接交互，然后简化了硬件的复杂性‌。包含AFE和 BM81710H 驱动、TIMER 中止处理、Flash 的存取、LED 的开关、与 PD 面板通讯相关的串口处理等等。

  使用层：包含对 AFE 的办理和操控、充放电操控、电池反常状况的处理、SOC/SOH、用户界面（PD Panel）相关通讯协议、低功耗办理等等，保证体系与 PES-BMS 使用相关的功用正常运转。